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紅外激光器的驅動電流
編輯:AG嫦娥奔月   時間:2018-12-29

  一般情況下,半導體紅外激光器的發光波長随溫度變化為0.2-0.3nm/℃,光譜寬度随之增加,影響顔色鮮豔度。另外,當正向電流流經pn結,發熱性損耗使結區産生溫升,在室溫附近,溫度每升高1℃,半導體激光器的發光強度會相應地減少1%左右,封裝散熱;時保持色純度與發光強度非常重要,以往多采用減少其驅動電流的辦法,降低結溫,多數半導體激光器的驅動電流限制在20mA左右。但是,半導體激光器的光輸出會随電流的增大而增加,很多功率型半導體激光器的驅動電流可以達到70mA、100mA甚至1A級,需要改進封裝結構,全新的半導體激光器封裝設計理念和低熱阻封裝結構及技術,改善熱特性。例如,采用大面積芯片倒裝結構,選用導熱性能好的銀膠,增大金屬支架的表面積,焊料凸點的矽載體直接裝在熱沉上等方法。此外,在應用設計中,PCB線路闆等的熱設計、導熱性能也十分重要。

  進入21世紀後,半導體激光器的高效化、超高亮度化、全色化不斷發展創新,紅、橙半導體激光器光效已達到100Im/W,綠半導體激光器為501m/W,單隻半導體激光器的光通量也達到數十Im。半導體激光器芯片和封裝不再沿龔傳統的設計理念與制造生産模式,在增加芯片的光輸出方面,研發不僅僅限于改變材料内雜質數量,晶格缺陷和位錯來提高内部效率,同時,如何改善管芯及封裝内部結構,增強半導體激光器内部産生光子出射的幾率,提高光效,解決散熱,取光和熱沉優化設計,改進光學性能,加速表面貼裝化SMD進程更是産業界研發的主流方向。

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